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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysNDH8304P
NDH8304P Image
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NDH8304P - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NDH8304P
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NDH8304P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 2.7A SSOT8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
Datenblatt
NDH8304P.pdf
vorrätig: 4580

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Anzahl

Spezifikation

NDH8304P Tech -Spezifikationen
onsemi - NDH8304P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NDH8304P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SuperSOT™-8  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 2.7A, 4.5V  
Leistung - max 800mW  
Verpackung / Gehäuse 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 865pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.7A  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer NDH8304  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NDH8304P.

Produkteigenschaften NDH8304P IRF7380QTRPBF DMC4015SSD-13 NDH8502P
Artikelnummer NDH8304P IRF7380QTRPBF DMC4015SSD-13 NDH8502P
Hersteller onsemi Infineon Technologies Diodes Incorporated Fairchild Semiconductor
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 4.5V 23nC @ 10V 40nC @ 10V 14.5nC @ 10V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel 2 P-Channel (Dual)
Verpackung / Gehäuse 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)
Leistung - max 800mW 2W 1.2W 800mW (Ta)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 80V 40V 30V
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 865pF @ 10V 660pF @ 25V 1810pF @ 20V 340pF @ 15V
Serie - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Bulk
Grundproduktnummer NDH8304 IRF7380 DMC4015 NDH8502
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.7A 3.6A 8.6A, 6.2A 2.2A (Ta)
Supplier Device-Gehäuse SuperSOT™-8 8-SO 8-SO SuperSOT™-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 2.7A, 4.5V 73mOhm @ 2.2A, 10V 15mOhm @ 3A, 10V 110mOhm @ 2.2A, 10V

NDH8304P Datenblatt PDF

Laden Sie NDH8304P PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NDH8304P - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
NDH8304P.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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