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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysNDH8502P
Fairchild Semiconductor
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NDH8502P - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
NDH8502P
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-NDH8502P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
P-CHANNEL MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)
Datenblatt
NDH8502P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 70880

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Anzahl

Spezifikation

NDH8502P Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - NDH8502P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - NDH8502P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SuperSOT™-8  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 2.2A, 10V  
Leistung - max 800mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 340pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.5nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.2A (Ta)  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer NDH8502  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor NDH8502P.

Produkteigenschaften NDH8502P SI4818DY-T1-E3 TSM3911DCX6 TPC8208(TE12L,Q,M)
Artikelnummer NDH8502P SI4818DY-T1-E3 TSM3911DCX6 TPC8208(TE12L,Q,M)
Hersteller Fairchild Semiconductor Vishay Siliconix Taiwan Semiconductor Corporation Toshiba Semiconductor and Storage
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.5nC @ 10V 12nC @ 5V 15.23nC @ 4.5V 9.5nC @ 5V
Serie - LITTLE FOOT® - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 340pF @ 15V - 882.51pF @ 6V 780pF @ 10V
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel 2 N-Channel (Dual)
Verpackung / Gehäuse 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) SOT-23-6 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.2A (Ta) 5.3A, 7A 2.2A (Ta) 5A
Supplier Device-Gehäuse SuperSOT™-8 8-SOIC SOT-26 8-SOP (5.5x6.0)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 20V 20V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 2.2A, 10V 22mOhm @ 6.3A, 10V 140mOhm @ 2.2A, 4.5V 50mOhm @ 2.5A, 4V
Grundproduktnummer NDH8502 SI4818 TSM3911 TPC8208
FET-Merkmal - Logic Level Gate Standard Logic Level Gate
Leistung - max 800mW (Ta) 1W, 1.25W 1.15W (Ta) 450mW
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 800mV @ 250µA (Min) 0.95V @ 250µA 1.2V @ 200µA

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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