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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNDS0610-G
NDS0610-G Image
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NDS0610-G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NDS0610-G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NDS0610-G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
FET -60V 10.0 MOHM SOT23
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
NDS0610.pdf
RoHS Status
vorrätig: 343050

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Anzahl

Spezifikation

NDS0610-G Tech -Spezifikationen
onsemi - NDS0610-G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NDS0610-G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10Ohm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 360mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 79 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120mA (Ta)  
Grundproduktnummer NDS061  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NDS0610-G.

Produkteigenschaften NDS0610-G NDS0605 NDS332P NDS0605-F169
Artikelnummer NDS0610-G NDS0605 NDS332P NDS0605-F169
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5 nC @ 10 V 2.5 nC @ 10 V 5 nC @ 4.5 V 2.5 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±8V ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 20 V 60 V
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Verlustleistung (max) 360mW (Ta) 360mW (Ta) 500mW (Ta) 360mW (Ta)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 2.7V, 4.5V 4.5V, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1mA 3V @ 250µA 1V @ 250µA 3V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10Ohm @ 500mA, 10V 5Ohm @ 500mA, 10V 300mOhm @ 1.1A, 4.5V 5Ohm @ 500mA, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 79 pF @ 25 V 79 pF @ 25 V 195 pF @ 10 V 79 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120mA (Ta) 180mA (Ta) 1A (Ta) 180mA (Ta)
Grundproduktnummer NDS061 NDS060 - -
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel

NDS0610-G Datenblatt PDF

Laden Sie NDS0610-G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NDS0610-G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev 07/Jun/2023.pdf 2N7002x/BSSx/FDGx/FDVx/NDS06x 10/May/2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Change 17/May/2023.pdf
Datenblätter
NDS0610.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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