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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNDS332P
NDS332P Image
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NDS332P - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NDS332P
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NDS332P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
NDS332P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 214250

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Anzahl

Spezifikation

NDS332P Tech -Spezifikationen
onsemi - NDS332P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NDS332P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 1.1A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 500mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 195 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1A (Ta)  
Grundproduktnummer NDS332  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NDS332P.

Produkteigenschaften NDS332P NDS335N NDS0610-G NDS0610_NL
Artikelnummer NDS332P NDS335N NDS0610-G NDS0610_NL
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V 2.7V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Verlustleistung (max) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 360mW (Ta) 360mW (Ta)
Vgs (Max) ±8V 8V ±20V ±20V
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5 nC @ 4.5 V 9 nC @ 4.5 V 2.5 nC @ 10 V 2.5 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 1.1A, 4.5V 110mOhm @ 1.7A, 4.5V 10Ohm @ 500mA, 10V 10Ohm @ 500mA, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 60 V 60 V
Grundproduktnummer NDS332 - NDS061 NDS061
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1A (Ta) 1.7A (Ta) 120mA (Ta) 120mA (Ta)
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 3.5V @ 1mA 3.5V @ 1mA
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 195 pF @ 10 V 240 pF @ 10 V 79 pF @ 25 V 79 pF @ 25 V

NDS332P Datenblatt PDF

Laden Sie NDS332P PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NDS332P - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Binary Year Code Marking 15/Jan/2014.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Standard Marking Lay-out 10/Oct/2022.pdf Standard Marking Lay-out 16/Nov/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly Chgs 12/Jul/2020.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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