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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNDUL09N150CG
onsemi
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NDUL09N150CG - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NDUL09N150CG
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NDUL09N150CG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1500V 9A TO3PF-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-3P-3 Full Pack
Datenblatt
NDUL09N150C.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4430

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Anzahl

Spezifikation

NDUL09N150CG Tech -Spezifikationen
onsemi - NDUL09N150CG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NDUL09N150CG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-3PF-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 3A, 10V  
Verlustleistung (max) 3W (Ta), 78W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2025 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 114 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Ta)  
Grundproduktnummer NDUL09  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NDUL09N150CG.

Produkteigenschaften NDUL09N150CG IRFR9110TRLPBF FDMA8884 IRL2910STRLPBF
Artikelnummer NDUL09N150CG IRFR9110TRLPBF FDMA8884 IRL2910STRLPBF
Hersteller onsemi Vishay Siliconix onsemi Infineon Technologies
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2025 pF @ 30 V 200 pF @ 25 V 450 pF @ 15 V 3700 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Ta) 3.1A (Tc) 6.5A (Ta), 8A (Tc) 55A (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verlustleistung (max) 3W (Ta), 78W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 1.9W (Ta) 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Grundproduktnummer NDUL09 IRFR9110 FDMA88 IRL2910
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse TO-3PF-3 D-Pak 6-MicroFET (2x2) D2PAK
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3 Full Pack TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 6-WDFN Exposed Pad TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA 4V @ 250µA 3V @ 250µA 2V @ 250µA
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±16V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 4.5V, 10V 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 3A, 10V 1.2Ohm @ 1.9A, 10V 23mOhm @ 6.5A, 10V 26mOhm @ 29A, 10V
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 114 nC @ 10 V 8.7 nC @ 10 V 7.5 nC @ 10 V 140 nC @ 5 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1500 V 100 V 30 V 100 V
Serie - - PowerTrench® HEXFET®

NDUL09N150CG Datenblatt PDF

Laden Sie NDUL09N150CG PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NDUL09N150CG - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 7/Apr/2021.pdf
Datenblätter
NDUL09N150C.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Mold Chg 25/Mar/2020.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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