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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelNSS20500UW3TBG
onsemi
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NSS20500UW3TBG - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NSS20500UW3TBG
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NSS20500UW3TBG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 20V 5A 3WDFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
3-WDFN Exposed Pad
Datenblatt
NSS20500UW3T2G.pdf
RoHS Status
vorrätig: 208880

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Anzahl

Spezifikation

NSS20500UW3TBG Tech -Spezifikationen
onsemi - NSS20500UW3TBG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NSS20500UW3TBG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 20 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 260mV @ 400mA, 4A  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse 3-WDFN (2x2)  
Serie -  
Leistung - max 875 mW  
Verpackung / Gehäuse 3-WDFN Exposed Pad  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 100MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 200 @ 2A, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 5 A  
Grundproduktnummer NSS20500  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NSS20500UW3TBG.

Produkteigenschaften NSS20500UW3TBG NSS30100LT1G NSS20601CF8T1G NSS20501UW3T2G
Artikelnummer NSS20500UW3TBG NSS30100LT1G NSS20601CF8T1G NSS20501UW3T2G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Supplier Device-Gehäuse 3-WDFN (2x2) SOT-23-3 (TO-236) ChipFET™ 3-WDFN (2x2)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Kollektor (Ic) (max) 5 A 1 A 6 A 5 A
Grundproduktnummer NSS20500 NSS30100 NSS20601 NSS20501
Leistung - max 875 mW 310 mW 830 mW 875 mW
Transistor-Typ PNP PNP NPN NPN
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 200 @ 2A, 2V 100 @ 500mA, 2V 200 @ 1A, 2V 200 @ 2A, 2V
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 20 V 30 V 20 V 20 V
Frequenz - Übergang 100MHz 100MHz 140MHz 150MHz
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 260mV @ 400mA, 4A 650mV @ 200mA, 2A 130mV @ 400mA, 4A 125mV @ 400mA, 4A
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse 3-WDFN Exposed Pad TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 8-SMD, Flat Lead 3-WDFN Exposed Pad

NSS20500UW3TBG Datenblatt PDF

Laden Sie NSS20500UW3TBG PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NSS20500UW3TBG - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Verpackung
Covering Tape/Material Chg 20/May/2016.pdf
Datenblätter
NSS20500UW3T2G.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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