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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelNSS30101LT1G
NSS30101LT1G Image
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NSS30101LT1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NSS30101LT1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NSS30101LT1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 30V 1A SOT23-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
NSS30101LT1G.pdf
RoHS Status
vorrätig: 317640

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Spezifikation

NSS30101LT1G Tech -Spezifikationen
onsemi - NSS30101LT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NSS30101LT1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 30 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 100mA, 1A  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236)  
Serie -  
Leistung - max 310 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 100MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 300 @ 500mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1 A  
Grundproduktnummer NSS30101  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NSS30101LT1G.

Produkteigenschaften NSS30101LT1G NSS20601CF8T1G NSS40200LT1G NSS30201MR6T1G
Artikelnummer NSS30101LT1G NSS20601CF8T1G NSS40200LT1G NSS30201MR6T1G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 30 V 20 V 40 V 30 V
Leistung - max 310 mW 830 mW 460 mW 535 mW
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 8-SMD, Flat Lead TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1 A 6 A 2 A 2 A
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer NSS30101 NSS20601 NSS40200 NSS30201
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA
Transistor-Typ NPN NPN PNP NPN
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236) ChipFET™ SOT-23-3 (TO-236) 6-TSOP
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 100mA, 1A 130mV @ 400mA, 4A 170mV @ 200mA, 2A 75mV @ 1mA, 100mA
Serie - - - -
Frequenz - Übergang 100MHz 140MHz 100MHz 300MHz
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 300 @ 500mA, 5V 200 @ 1A, 2V 220 @ 500mA, 2V 300 @ 500mA, 5V

NSS30101LT1G Datenblatt PDF

Laden Sie NSS30101LT1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NSS30101LT1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
SOT23 16/Sep/2016.pdf Material CHG 16/Dec/2015.pdf
Datenblätter
NSS30101LT1G.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
NSS3010 Bondwire Chg 23/Nov/2020.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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