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NSS60101DMTTBG Image
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NSS60101DMTTBG - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NSS60101DMTTBG
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NSS60101DMTTBG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS 2NPN 60V 1A 6WDFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-WDFN Exposed Pad
Datenblatt
NSS60101DMT.pdf
RoHS Status
vorrätig: 176310

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Anzahl

Spezifikation

NSS60101DMTTBG Tech -Spezifikationen
onsemi - NSS60101DMTTBG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NSS60101DMTTBG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 60V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 180mV @ 100mA, 1A  
Transistor-Typ 2 NPN (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse 6-WDFN (2x2)  
Serie -  
Leistung - max 2.27W  
Verpackung / Gehäuse 6-WDFN Exposed Pad  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 180MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 120 @ 500mA, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1A  
Grundproduktnummer NSS60101  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NSS60101DMTTBG.

Produkteigenschaften NSS60101DMTTBG NSS60101DMTTBG NSS40302PDR2G NSS60100DMTTBG
Artikelnummer NSS60101DMTTBG NSS60101DMTTBG NSS40302PDR2G NSS60100DMTTBG
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Supplier Device-Gehäuse 6-WDFN (2x2) 6-WDFN (2x2) 8-SOIC 6-WDFN (2x2)
Grundproduktnummer NSS60101 NSS60101 NSS40302 NSS60100
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 120 @ 500mA, 2V 120 @ 500mA, 2V 180 @ 1A, 2V 120 @ 500mA, 2V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 180mV @ 100mA, 1A 180mV @ 100mA, 1A 115mV @ 200mA, 2A 300mV @ 100mA, 1A
Leistung - max 2.27W 2.27W 653mW 2.27W
Verpackung / Gehäuse 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 6-WDFN Exposed Pad
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 60V 60V 40V 60V
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
Transistor-Typ 2 NPN (Dual) 2 NPN (Dual) NPN, PNP 2 PNP (Dual)
Serie - - - -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1A 1A 3A 1A
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 180MHz 180MHz 100MHz 155MHz

NSS60101DMTTBG Datenblatt PDF

Laden Sie NSS60101DMTTBG PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NSS60101DMTTBG - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Site 14/Dec/2022.pdf
Datenblätter
NSS60101DMT.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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