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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-bipolare (BJT)-ArraysNSS60101DMTTBG
Fairchild Semiconductor
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NSS60101DMTTBG - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
NSS60101DMTTBG
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-NSS60101DMTTBG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-WDFN Exposed Pad
Datenblatt
NSS60101DMTTBG.pdf
vorrätig: 3750

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Spezifikation

NSS60101DMTTBG Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - NSS60101DMTTBG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - NSS60101DMTTBG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 60V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 180mV @ 100mA, 1A  
Transistor-Typ 2 NPN (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse 6-WDFN (2x2)  
Serie -  
Leistung - max 2.27W  
Verpackung / Gehäuse 6-WDFN Exposed Pad  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 180MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 120 @ 500mA, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1A  
Grundproduktnummer NSS60101  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor NSS60101DMTTBG.

Produkteigenschaften NSS60101DMTTBG NSS60100DMTTBG NSS60101DMTTBG NSS40302PDR2G
Artikelnummer NSS60101DMTTBG NSS60100DMTTBG NSS60101DMTTBG NSS40302PDR2G
Hersteller Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 120 @ 500mA, 2V 120 @ 500mA, 2V 120 @ 500mA, 2V 180 @ 1A, 2V
Leistung - max 2.27W 2.27W 2.27W 653mW
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 180mV @ 100mA, 1A 300mV @ 100mA, 1A 180mV @ 100mA, 1A 115mV @ 200mA, 2A
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 60V 60V 60V 40V
Frequenz - Übergang 180MHz 155MHz 180MHz 100MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie - - - -
Supplier Device-Gehäuse 6-WDFN (2x2) 6-WDFN (2x2) 6-WDFN (2x2) 8-SOIC
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Transistor-Typ 2 NPN (Dual) 2 PNP (Dual) 2 NPN (Dual) NPN, PNP
Grundproduktnummer NSS60101 NSS60100 NSS60101 NSS40302
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1A 1A 1A 3A
Verpackung / Gehäuse 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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