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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelNSV1C201LT1G
NSV1C201LT1G Image
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NSV1C201LT1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NSV1C201LT1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NSV1C201LT1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 100V 2A SOT23-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
NSS,NSV1C201L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 202690

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Spezifikation

NSV1C201LT1G Tech -Spezifikationen
onsemi - NSV1C201LT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NSV1C201LT1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 100 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 200mA, 2A  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236)  
Serie -  
Leistung - max 490 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 110MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 120 @ 500mA, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 2 A  
Grundproduktnummer NSV1C201  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NSV1C201LT1G.

Produkteigenschaften NSV1C201LT1G NSV40200LT1G NSV1C300ET4G NSV1C300ET4G-VF01
Artikelnummer NSV1C201LT1G NSV40200LT1G NSV1C300ET4G NSV1C300ET4G-VF01
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Strom - Kollektor (Ic) (max) 2 A 2 A 3 A 3 A
Frequenz - Übergang 110MHz 100MHz 100MHz 100MHz
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 120 @ 500mA, 2V 220 @ 500mA, 2V 120 @ 1A, 2V 180 @ 500mA, 2V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer NSV1C201 NSV40200 NSV1C300 NSV1C300
Leistung - max 490 mW 460 mW 2.1 W 2.1 W
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) DPAK DPAK
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
Serie - - - Automotive, AEC-Q101
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 100 V 40 V 100 V 100 V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 200mA, 2A 170mV @ 200mA, 2A 400mV @ 300mA, 3A 400mV @ 300mA, 3A
Transistor-Typ NPN PNP PNP PNP
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

NSV1C201LT1G Datenblatt PDF

Laden Sie NSV1C201LT1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NSV1C201LT1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
SOT23 27/Sep/2016.pdf
Datenblätter
NSS,NSV1C201L.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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