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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biasedNSVMUN5211DW1T3G
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NSVMUN5211DW1T3G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NSVMUN5211DW1T3G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NSVMUN5211DW1T3G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
MUN5211DW1, NSBC114EDxx.pdf
RoHS Status
vorrätig: 325980

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Spezifikation

NSVMUN5211DW1T3G Tech -Spezifikationen
onsemi - NSVMUN5211DW1T3G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NSVMUN5211DW1T3G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA  
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse SC-88/SC70-6/SOT-363  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 10kOhms  
Leistung - max 250mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang -  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 35 @ 5mA, 10V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
Grundproduktnummer NSVMUN5211  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NSVMUN5211DW1T3G.

Produkteigenschaften NSVMUN5211DW1T3G NSVMUN5312DW1T2G NSVMUN5111DW1T3G NSVMUN5314DW1T3G
Artikelnummer NSVMUN5211DW1T3G NSVMUN5312DW1T2G NSVMUN5111DW1T3G NSVMUN5314DW1T3G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA
Leistung - max 250mW 250mW 250mW 250mW
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA 100mA 100mA 100mA
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V 50V 50V 50V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA
Grundproduktnummer NSVMUN5211 NSVMUN5312 NSVMUN5111 NSVMUN5314
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10kOhms 22kOhms 10kOhms 47kOhms
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 35 @ 5mA, 10V 60 @ 5mA, 10V 35 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device-Gehäuse SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363
Widerstand - Basis (R1) 10kOhms 22kOhms 10kOhms 10kOhms
Serie Automotive, AEC-Q101 - Automotive, AEC-Q101 -
Frequenz - Übergang - - - -

NSVMUN5211DW1T3G Datenblatt PDF

Laden Sie NSVMUN5211DW1T3G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NSVMUN5211DW1T3G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Bond Wire 15/Feb/2019.pdf
Datenblätter
MUN5211DW1, NSBC114EDxx.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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