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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biasedNSVMUN5212DW1T1G
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Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NSVMUN5212DW1T1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NSVMUN5212DW1T1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NSVMUN5212DW1T1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
MUN5212DW1, NSBC124EDxx.pdf
RoHS Status
vorrätig: 358030

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Spezifikation

NSVMUN5212DW1T1G Tech -Spezifikationen
onsemi - NSVMUN5212DW1T1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NSVMUN5212DW1T1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA  
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse SC-88/SC70-6/SOT-363  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 22kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 22kOhms  
Leistung - max 250mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang -  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 60 @ 5mA, 10V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
Grundproduktnummer NSVMUN5212  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NSVMUN5212DW1T1G.

Produkteigenschaften NSVMUN5212DW1T1G NSVMUN5331DW1T1G NSVMUN5233DW1T3G NSVMUN5211DW1T3G
Artikelnummer NSVMUN5212DW1T1G NSVMUN5331DW1T1G NSVMUN5233DW1T3G NSVMUN5211DW1T3G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Frequenz - Übergang - - - -
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 60 @ 5mA, 10V 8 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device-Gehäuse SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V 50V 50V 50V
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 5mA, 10mA 250mV @ 1mA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA
Grundproduktnummer NSVMUN5212 NSVMUN5331 NSVMUN5233 NSVMUN5211
Leistung - max 250mW 250mW 250mW 250mW
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA 100mA 100mA 100mA
Widerstand - Emitterbasis (R2) 22kOhms 2.2kOhms 47kOhms 10kOhms
Serie - - Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Widerstand - Basis (R1) 22kOhms 2.2kOhms 4.7kOhms 10kOhms

NSVMUN5212DW1T1G Datenblatt PDF

Laden Sie NSVMUN5212DW1T1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NSVMUN5212DW1T1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Green Compound Update 04/Mar/2015.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Wire Qual 29/Aug/2019.pdf
Datenblätter
MUN5212DW1, NSBC124EDxx.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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