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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTB004N10G
NTB004N10G Image
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NTB004N10G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTB004N10G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTB004N10G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 201A TO263
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
NTB004N10G.pdf
RoHS Status
vorrätig: 9439

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Anzahl

Spezifikation

NTB004N10G Tech -Spezifikationen
onsemi - NTB004N10G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTB004N10G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 500µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK-3 (TO-263-3)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 100A, 10V  
Verlustleistung (max) 340W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11900 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 175 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 201A (Ta)  
Grundproduktnummer NTB004  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTB004N10G.

Produkteigenschaften NTB004N10G NTB110N65S3HF NTB082N65S3F NTB125N02RG
Artikelnummer NTB004N10G NTB110N65S3HF NTB082N65S3F NTB125N02RG
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11900 pF @ 50 V 2635 pF @ 400 V 3410 pF @ 400 V 3440 pF @ 20 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer NTB004 NTB110 NTB082 NTB12
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 175 nC @ 10 V 62 nC @ 10 V 81 nC @ 10 V 28 nC @ 4.5 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 201A (Ta) 30A (Tc) 40A (Tc) 95A (Ta), 120.5A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 650 V 650 V 24 V
Supplier Device-Gehäuse D²PAK-3 (TO-263-3) D²PAK-3 (TO-263-3) D²PAK (TO-263) D2PAK
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 4.5V, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 100A, 10V 110mOhm @ 15A, 10V 82mOhm @ 20A, 10V 4.6mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max) 340W (Tc) 240W (Tc) 313W (Tc) 1.98W (Ta), 113.6W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 500µA 5V @ 740µA 5V @ 4mA 2V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - FRFET®, SuperFET® III SuperFET® III -
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NTB004N10G Datenblatt PDF

Laden Sie NTB004N10G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTB004N10G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Change 09/May/2023.pdf
PCN -Verpackung
Mult Dev Box Chgs 1/Jul/2021.pdf
Datenblätter
NTB004N10G.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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