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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTB60N06LG
NTB60N06LG Image
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NTB60N06LG - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTB60N06LG
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTB60N06LG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
NTB,NTP60N06L.pdf
vorrätig: 3910

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Spezifikation

NTB60N06LG Tech -Spezifikationen
onsemi - NTB60N06LG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTB60N06LG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±15V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 30A, 5V  
Verlustleistung (max) 2.4W (Ta), 150W (Tj)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3075 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Ta)  
Grundproduktnummer NTB60  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTB60N06LG.

Produkteigenschaften NTB60N06LG NTB5605PT4G NTB5860NT4G NTB6412ANG
Artikelnummer NTB60N06LG NTB5605PT4G NTB5860NT4G NTB6412ANG
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±15V ±20V ±20V ±20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Ta) 18.5A (Ta) 220A (Tc) 58A (Tc)
Grundproduktnummer NTB60 NTB5605 - NTB64
Serie - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3075 pF @ 25 V 1190 pF @ 25 V 10760 pF @ 25 V 3500 pF @ 25 V
Paket Tube Tape & Reel (TR) Bulk Tube
Supplier Device-Gehäuse D²PAK D²PAK D2PAK D²PAK
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 60 V 100 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 2.4W (Ta), 150W (Tj) 88W (Tc) 283W (Tc) 167W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 5 V 22 nC @ 5 V 180 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V 5V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 30A, 5V 140mOhm @ 8.5A, 5V 3mOhm @ 75A, 10V 18.2mOhm @ 58A, 10V

NTB60N06LG Datenblatt PDF

Laden Sie NTB60N06LG PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTB60N06LG - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 03/Apr/2007.pdf
Datenblätter
NTB,NTP60N06L.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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