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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTB6412ANG
NTB6412ANG Image
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NTB6412ANG - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTB6412ANG
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTB6412ANG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
NTB,NTP6412AN.pdf
vorrätig: 5410

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Anzahl

Spezifikation

NTB6412ANG Tech -Spezifikationen
onsemi - NTB6412ANG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTB6412ANG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18.2mOhm @ 58A, 10V  
Verlustleistung (max) 167W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3500 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 58A (Tc)  
Grundproduktnummer NTB64  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTB6412ANG.

Produkteigenschaften NTB6412ANG NTB6413ANT4G NTB6412ANT4G NTB60N06T4G
Artikelnummer NTB6412ANG NTB6413ANT4G NTB6412ANT4G NTB60N06T4G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Serie - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V 51 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 81 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18.2mOhm @ 58A, 10V 28mOhm @ 42A, 10V 18.2mOhm @ 58A, 10V 14mOhm @ 30A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse D²PAK D²PAK D²PAK D²PAK
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verlustleistung (max) 167W (Tc) 136W (Tc) 167W (Tc) 2.4W (Ta), 150W (Tj)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V 60 V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3500 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V 3500 pF @ 25 V 3220 pF @ 25 V
Grundproduktnummer NTB64 NTB6413 NTB64 NTB60
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 58A (Tc) 42A (Tc) 58A (Tc) 60A (Ta)

NTB6412ANG Datenblatt PDF

Laden Sie NTB6412ANG PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTB6412ANG - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 05/Apr/2014.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Material Chg 2/Oct/2018.pdf
Datenblätter
NTB,NTP6412AN.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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