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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTD80N02-001
NTD80N02-001 Image
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NTD80N02-001 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTD80N02-001
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTD80N02-001
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 24V 80A IPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
NTD80N02.pdf
vorrätig: 4270

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Spezifikation

NTD80N02-001 Tech -Spezifikationen
onsemi - NTD80N02-001 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTD80N02-001

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I-PAK  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 80A, 10V  
Verlustleistung (max) 75W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2600 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 24 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc)  
Grundproduktnummer NTD80  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTD80N02-001.

Produkteigenschaften NTD80N02-001 NTD78N03T4G NTD78N03R-1G NTD78N03G
Artikelnummer NTD80N02-001 NTD78N03T4G NTD78N03R-1G NTD78N03G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 4.5 V 35 nC @ 4.5 V - 35 nC @ 4.5 V
Befestigungsart Through Hole Surface Mount - Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer NTD80 NTD78 - NTD78
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc) 11.4A (Ta), 78A (Tc) - 11.4A (Ta), 78A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2600 pF @ 20 V 2250 pF @ 12 V - 2250 pF @ 12 V
Supplier Device-Gehäuse I-PAK DPAK - DPAK
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 80A, 10V 6mOhm @ 78A, 10V - 6mOhm @ 78A, 10V
Paket Tube Tape & Reel (TR) Bulk Tube
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - 4.5V, 10V
FET-Merkmal - - - -
Serie - - * -
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Drain-Source-Spannung (Vdss) 24 V 25 V - 25 V
Typ FET N-Channel N-Channel - N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA - 3V @ 250µA
Verlustleistung (max) 75W (Tc) 1.4W (Ta), 64W (Tc) - 1.4W (Ta), 64W (Tc)

NTD80N02-001 Datenblatt PDF

Laden Sie NTD80N02-001 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTD80N02-001 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
NTD80N02.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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