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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTD80N02G
NTD80N02G Image
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NTD80N02G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTD80N02G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTD80N02G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
NTD80N02.pdf
vorrätig: 5210

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Anzahl

Spezifikation

NTD80N02G Tech -Spezifikationen
onsemi - NTD80N02G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTD80N02G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 80A, 10V  
Verlustleistung (max) 75W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2600 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 24 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc)  
Grundproduktnummer NTD80  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTD80N02G.

Produkteigenschaften NTD80N02G NTD80N02T4 NTD85N02R-001 NTD78N03RG
Artikelnummer NTD80N02G NTD80N02T4 NTD85N02R-001 NTD78N03RG
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Drain-Source-Spannung (Vdss) 24 V 24 V 24 V -
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2V @ 250µA -
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc) 80A (Tc) 12A (Ta), 85A (Tc) -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2600 pF @ 20 V 2600 pF @ 20 V 2050 pF @ 20 V -
Verlustleistung (max) 75W (Tc) 75W (Tc) 1.25W (Ta), 78.1W (Tc) -
Supplier Device-Gehäuse DPAK DPAK I-PAK -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole -
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Bulk
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 80A, 10V 5.8mOhm @ 80A, 10V 5.2mOhm @ 20A, 10V -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 4.5 V 42 nC @ 4.5 V 17.7 nC @ 5 V -
Serie - - - *
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Grundproduktnummer NTD80 NTD80 NTD85 -

NTD80N02G Datenblatt PDF

Laden Sie NTD80N02G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTD80N02G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 30/Jun/2006.pdf
Datenblätter
NTD80N02.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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