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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTF3055L175T1G
NTF3055L175T1G Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NTF3055L175T1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTF3055L175T1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTF3055L175T1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 2A SOT223
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
NTF3055L175.pdf
vorrätig: 3980

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Anzahl

Spezifikation

NTF3055L175T1G Tech -Spezifikationen
onsemi - NTF3055L175T1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTF3055L175T1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±15V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-223 (TO-261)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175mOhm @ 1A, 5V  
Verlustleistung (max) 1.3W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 270 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Ta)  
Grundproduktnummer NTF305  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTF3055L175T1G.

Produkteigenschaften NTF3055L175T1G NTF5P03T3G NTF3055-100T3G NTF3055-100T1G
Artikelnummer NTF3055L175T1G NTF5P03T3G NTF3055-100T3G NTF3055-100T1G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Vgs (Max) ±15V ±20V ±20V ±20V
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Supplier Device-Gehäuse SOT-223 (TO-261) SOT-223 (TO-261) SOT-223 (TO-261) SOT-223 (TO-261)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V 4.5V, 10V 10V 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 270 pF @ 25 V 950 pF @ 25 V 455 pF @ 25 V 455 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 30 V 60 V 60 V
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer NTF305 NTF5P03 NTF305 NTF3055
Verlustleistung (max) 1.3W (Ta) 1.56W (Ta) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta)
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175mOhm @ 1A, 5V 100mOhm @ 5.2A, 10V 110mOhm @ 1.5A, 10V 110mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 5 V 38 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Serie - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Ta) 3.7A (Ta) 3A (Ta) 3A (Ta)

NTF3055L175T1G Datenblatt PDF

Laden Sie NTF3055L175T1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTF3055L175T1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Datasheet MSL Updated 2/April/2007.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 08/Apr/2011.pdf
Datenblätter
NTF3055L175.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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