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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTF6P02T3G
NTF6P02T3G Image
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NTF6P02T3G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTF6P02T3G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTF6P02T3G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 10A SOT223
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
NTF6P02, NVF6P02.pdf
RoHS Status
vorrätig: 51330

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Anzahl

Spezifikation

NTF6P02T3G Tech -Spezifikationen
onsemi - NTF6P02T3G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTF6P02T3G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-223 (TO-261)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 6A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 8.3W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 16 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Ta)  
Grundproduktnummer NTF6P02  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTF6P02T3G.

Produkteigenschaften NTF6P02T3G NTF3055L175T1G NTF3055-100T3G NTF3055L108T1G
Artikelnummer NTF6P02T3G NTF3055L175T1G NTF3055-100T3G NTF3055L108T1G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Ta) 2A (Ta) 3A (Ta) 3A (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 6A, 4.5V 175mOhm @ 1A, 5V 110mOhm @ 1.5A, 10V 120mOhm @ 1.5A, 5V
Grundproduktnummer NTF6P02 NTF305 NTF305 NTF3055
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 60 V 60 V 60 V
Supplier Device-Gehäuse SOT-223 (TO-261) SOT-223 (TO-261) SOT-223 (TO-261) SOT-223 (TO-261)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 4.5 V 10 nC @ 5 V 22 nC @ 10 V 15 nC @ 5 V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 5V 10V 5V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 16 V 270 pF @ 25 V 455 pF @ 25 V 440 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±8V ±15V ±20V ±15V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verlustleistung (max) 8.3W (Ta) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta)
Serie - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

NTF6P02T3G Datenblatt PDF

Laden Sie NTF6P02T3G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTF6P02T3G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Verpackung
Covering Tape/Material Chg 20/May/2016.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 14/Apr/2010.pdf Multiple Devices Update 08/Apr/2011.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Datasheet MSL Updated 2/April/2007.pdf
Datenblätter
NTF6P02, NVF6P02.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Bond Wire 13/Nov/2020.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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