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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTHD3101FT1G
NTHD3101FT1G Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NTHD3101FT1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTHD3101FT1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTHD3101FT1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SMD, Flat Lead
Datenblatt
NTHD3101F.pdf
RoHS Status
vorrätig: 59320

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Anzahl

Spezifikation

NTHD3101FT1G Tech -Spezifikationen
onsemi - NTHD3101FT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTHD3101FT1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ChipFET™  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 3.2A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.1W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.4 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal Schottky Diode (Isolated)  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.2A (Tj)  
Grundproduktnummer NTHD3101  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTHD3101FT1G.

Produkteigenschaften NTHD3101FT1G NTHD3133PFT1G NTHD4102PT1G NTHD4102PT1
Artikelnummer NTHD3101FT1G NTHD3133PFT1G NTHD4102PT1G NTHD4102PT1
Hersteller onsemi onsemi onsemi AMI Semiconductor/onsemi
Vgs (Max) ±8V ±8V - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 10 V 680 pF @ 10 V 750pF @ 16V -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20V -
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead -
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.4 nC @ 4.5 V 7.4 nC @ 4.5 V 8.6nC @ 4.5V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 3.2A, 4.5V 80mOhm @ 3.2A, 4.5V 80mOhm @ 2.9A, 4.5V -
Typ FET P-Channel P-Channel - -
Grundproduktnummer NTHD3101 NTHD31 NTHD4102 -
Supplier Device-Gehäuse ChipFET™ ChipFET™ ChipFET™ -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.2A (Tj) 3.2A (Tj) 2.9A -
Serie - - - -
Verlustleistung (max) 1.1W (Ta) 1.1W (Ta) - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
FET-Merkmal Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated) Logic Level Gate -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -

NTHD3101FT1G Datenblatt PDF

Laden Sie NTHD3101FT1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTHD3101FT1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Obsolete Notice 15/Dec/2022.pdf
Datenblätter
NTHD3101F.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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