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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysNTHD3102CT1G
NTHD3102CT1G Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NTHD3102CT1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTHD3102CT1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTHD3102CT1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SMD, Flat Lead
Datenblatt
NTHD3102C.pdf
RoHS Status
vorrätig: 71830

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Spezifikation

NTHD3102CT1G Tech -Spezifikationen
onsemi - NTHD3102CT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTHD3102CT1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ChipFET™  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 4.4A, 4.5V  
Leistung - max 1.1W  
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 510pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.9nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A, 3.1A  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer NTHD3102  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTHD3102CT1G.

Produkteigenschaften NTHD3102CT1G NTHC5513T1G NTHD2102PT1 NTHD4102PT1G
Artikelnummer NTHD3102CT1G NTHC5513T1G NTHD2102PT1 NTHD4102PT1G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.9nC @ 4.5V 4nC @ 4.5V 16nC @ 2.5V 8.6nC @ 4.5V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 510pF @ 10V 180pF @ 10V 715pF @ 6.4V 750pF @ 16V
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 4.4A, 4.5V 80mOhm @ 2.9A, 4.5V 58mOhm @ 3.4A, 4.5V 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse ChipFET™ ChipFET™ ChipFET™ ChipFET™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A, 3.1A 2.9A, 2.2A 3.4A 2.9A
Grundproduktnummer NTHD3102 NTHC5513 NTHD21 NTHD4102
Konfiguration N and P-Channel N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Leistung - max 1.1W 1.1W 1.1W 1.1W
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V 8V 20V

NTHD3102CT1G Datenblatt PDF

Laden Sie NTHD3102CT1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTHD3102CT1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Verpackung
Covering Tape/Material Chg 20/May/2016.pdf
Datenblätter
NTHD3102C.pdf

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Lieferzeit

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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