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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysNTJD4001NT1G
NTJD4001NT1G Image
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NTJD4001NT1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTJD4001NT1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTJD4001NT1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT-363
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
N(V)TJD4001N.pdf
RoHS Status
vorrätig: 269580

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Anzahl

Spezifikation

NTJD4001NT1G Tech -Spezifikationen
onsemi - NTJD4001NT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTJD4001NT1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SC-88/SC70-6/SOT-363  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 10mA, 4V  
Leistung - max 272mW  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 33pF @ 5V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.3nC @ 5V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 250mA  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer NTJD4001  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTJD4001NT1G.

Produkteigenschaften NTJD4001NT1G NTJD4152PT2G NTJD4105CT2 NTJD4105CT2G
Artikelnummer NTJD4001NT1G NTJD4152PT2G NTJD4105CT2 NTJD4105CT2G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Leistung - max 272mW 272mW 270mW 270mW
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 20V 20V, 8V 20V, 8V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer NTJD4001 NTJD4152 NTJD4105 NTJD4105
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA 1.2V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 33pF @ 5V 155pF @ 20V 46pF @ 20V 46pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.3nC @ 5V 2.2nC @ 4.5V 3nC @ 4.5V 3nC @ 4.5V
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel N and P-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 250mA 880mA 630mA, 775mA 630mA, 775mA
Serie - - - -
Supplier Device-Gehäuse SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 10mA, 4V 260mOhm @ 880mA, 4.5V 375mOhm @ 630mA, 4.5V 375mOhm @ 630mA, 4.5V
FET-Merkmal - - Logic Level Gate Logic Level Gate
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

NTJD4001NT1G Datenblatt PDF

Laden Sie NTJD4001NT1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTJD4001NT1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
N(V)TJD4001N.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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