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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysNTJD4152PT2G
NTJD4152PT2G Image
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NTJD4152PT2G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTJD4152PT2G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTJD4152PT2G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88-6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
NTJD4152P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 351270

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Spezifikation

NTJD4152PT2G Tech -Spezifikationen
onsemi - NTJD4152PT2G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTJD4152PT2G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SC-88/SC70-6/SOT-363  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 260mOhm @ 880mA, 4.5V  
Leistung - max 272mW  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 155pF @ 20V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.2nC @ 4.5V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 880mA  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer NTJD4152  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTJD4152PT2G.

Produkteigenschaften NTJD4152PT2G NTJD4105CT2 NTJD4105CT2G NTJD5121NT2G
Artikelnummer NTJD4152PT2G NTJD4105CT2 NTJD4105CT2G NTJD5121NT2G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363
Leistung - max 272mW 270mW 270mW 250mW
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Rds On (Max) @ Id, Vgs 260mOhm @ 880mA, 4.5V 375mOhm @ 630mA, 4.5V 375mOhm @ 630mA, 4.5V 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 155pF @ 20V 46pF @ 20V 46pF @ 20V 26pF @ 20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 880mA 630mA, 775mA 630mA, 775mA 295mA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel N and P-Channel 2 N-Channel (Dual)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.2nC @ 4.5V 3nC @ 4.5V 3nC @ 4.5V 0.9nC @ 4.5V
FET-Merkmal - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V, 8V 20V, 8V 60V
Grundproduktnummer NTJD4152 NTJD4105 NTJD4105 NTJD5121

NTJD4152PT2G Datenblatt PDF

Laden Sie NTJD4152PT2G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTJD4152PT2G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
NTJD4152P.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/Mat Chg 14/May/2021.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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