NTLUS4C12NTAG Tech -Spezifikationen
onsemi - NTLUS4C12NTAG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTLUS4C12NTAG

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Hersteller	onsemi
VGS (th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	6-UDFN (2x2)
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9mOhm @ 9A, 10V
Verlustleistung (max)	630mW (Ta)
Verpackung / Gehäuse	6-UDFN Exposed Pad
Paket	Tape & Reel (TR)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1172 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	3.3V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	6.8A (Ta)
Grundproduktnummer	NTLUS4

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTLUS4C12NTAG.

Produkteigenschaften
Artikelnummer	NTLUS4C12NTAG	NTLUS3A18PZCTAG	NTLUS3A18PZTBG	NTLUS3C18PZTAG
Hersteller	onsemi	onsemi	onsemi	onsemi
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18 nC @ 10 V	28 nC @ 4.5 V	28 nC @ 4.5 V	15.8 nC @ 4.5 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	6.8A (Ta)	5.1A (Ta)	5.1A (Ta)	4.4A (Ta)
FET-Merkmal	-	-	-	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V	20 V	20 V	12 V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET	N-Channel	P-Channel	P-Channel	P-Channel
Verpackung / Gehäuse	6-UDFN Exposed Pad	6-UDFN Exposed Pad	6-UDFN Exposed Pad	6-PowerUFDFN
Serie	-	-	µCool™	-
Paket	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1172 pF @ 15 V	2240 pF @ 15 V	2240 pF @ 15 V	1570 pF @ 6 V
Supplier Device-Gehäuse	6-UDFN (2x2)	6-UDFN (2x2)	6-UDFN (2x2)	6-UDFN (1.6x1.6)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	3.3V, 10V	1.5V, 4.5V	1.5V, 4.5V	1.8V, 4.5V
Befestigungsart	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA	1V @ 250µA	1V @ 250µA	1V @ 250µA
Grundproduktnummer	NTLUS4	NTLUS3A	NTLUS3	NTLUS3
Vgs (Max)	±20V	±8V	±8V	±8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9mOhm @ 9A, 10V	18mOhm @ 7A, 4.5V	18mOhm @ 7A, 4.5V	24mOhm @ 7A, 4.5V
Verlustleistung (max)	630mW (Ta)	-	700mW (Ta)	660mW (Ta)

NTLUS4C12NTAG Datenblatt PDF

Laden Sie NTLUS4C12NTAG PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTLUS4C12NTAG - onsemi herunter.

Umweltinformationen: onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Verpackung: Covering Tape/Material Chg 20/May/2016.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL: Mult Dev EOL 01/Oct/2021.pdf
Datenblätter: NTLUS4C12N.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft: NTLUS4C12NTAG Assembly Add 7/May/2019.pdf

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Europa	Deutschland	5
	Großbritannien	4
	Italien	5
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Ozeanien	Neuseeland	5
Asien	Indien	4
Asien	Japan	4
Naher Osten	Israel	6

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0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

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