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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTLUF4189NZTBG
NTLUF4189NZTBG Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NTLUF4189NZTBG - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTLUF4189NZTBG
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTLUF4189NZTBG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 1.2A 6UDFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-UFDFN Exposed Pad
Datenblatt
NTLUF4189NZ.pdf
vorrätig: 4860

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Anzahl

Spezifikation

NTLUF4189NZTBG Tech -Spezifikationen
onsemi - NTLUF4189NZTBG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTLUF4189NZTBG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-UDFN (1.6x1.6)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1.5A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 500mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 6-UFDFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 95 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal Schottky Diode (Isolated)  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.2A (Ta)  
Grundproduktnummer NTLUF41  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTLUF4189NZTBG.

Produkteigenschaften NTLUF4189NZTBG NTLUS3A39PZTAG NTLUS3A18PZTCG NTLUS3A40PZTAG
Artikelnummer NTLUF4189NZTBG NTLUS3A39PZTAG NTLUS3A18PZTCG NTLUS3A40PZTAG
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Verlustleistung (max) 500mW (Ta) 600mW (Ta) 700mW (Ta) 700mW (Ta)
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.2A (Ta) 3.4A (Ta) 5.1A (Ta) 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1.5A, 4.5V 39mOhm @ 4A, 4.5V 18mOhm @ 7A, 4.5V 29mOhm @ 6.4A, 4.5V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 95 pF @ 15 V 920 pF @ 15 V 2240 pF @ 15 V 2600 pF @ 15 V
Serie - µCool™ - µCool™
Supplier Device-Gehäuse 6-UDFN (1.6x1.6) 6-UDFN (1.6x1.6) 6-UDFN (2x2) 6-UDFN (2x2)
Vgs (Max) ±8V ±8V ±8V ±8V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 20 V 20 V 20 V
Typ FET N-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
FET-Merkmal Schottky Diode (Isolated) - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V
Grundproduktnummer NTLUF41 NTLUS3 NTLUS3 NTLUS3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3 nC @ 4.5 V 10.4 nC @ 4.5 V 28 nC @ 4.5 V 29 nC @ 4.5 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse 6-UFDFN Exposed Pad 6-PowerUFDFN 6-UDFN Exposed Pad 6-UDFN Exposed Pad

NTLUF4189NZTBG Datenblatt PDF

Laden Sie NTLUF4189NZTBG PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTLUF4189NZTBG - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 14/Apr/2010.pdf
Datenblätter
NTLUF4189NZ.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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