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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysNTMD6601NR2G
NTMD6601NR2G Image
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NTMD6601NR2G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTMD6601NR2G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTMD6601NR2G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
NTMD6601NR2G.pdf
vorrätig: 4080

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Spezifikation

NTMD6601NR2G Tech -Spezifikationen
onsemi - NTMD6601NR2G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTMD6601NR2G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 215mOhm @ 2.2A, 10V  
Leistung - max 600mW  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.1A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer NTMD66  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTMD6601NR2G.

Produkteigenschaften NTMD6601NR2G NTMD6N03R2 NTMD6P02R2G NTMD5838NLR2G
Artikelnummer NTMD6601NR2G NTMD6N03R2 NTMD6P02R2G NTMD5838NLR2G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Grundproduktnummer NTMD66 NTMD6 NTMD6 NTMD5838
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.1A 6A 4.8A 7.4A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V 30nC @ 10V 35nC @ 4.5V 17nC @ 10V
Serie - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Leistung - max 600mW 1.29W 750mW 2.1W
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 1.2V @ 250µA 3V @ 250µA
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80V 30V 20V 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 215mOhm @ 2.2A, 10V 32mOhm @ 6A, 10V 33mOhm @ 6.2A, 4.5V 25mOhm @ 7A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 25V 950pF @ 24V 1700pF @ 16V 785pF @ 20V

NTMD6601NR2G Datenblatt PDF

Laden Sie NTMD6601NR2G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTMD6601NR2G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 05/Oct/2010.pdf
Datenblätter
NTMD6601NR2G.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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