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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysNTMD6N03R2
NTMD6N03R2 Image
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NTMD6N03R2 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTMD6N03R2
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTMD6N03R2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
NTMD6N03R2.pdf
vorrätig: 4210

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Anzahl

Spezifikation

NTMD6N03R2 Tech -Spezifikationen
onsemi - NTMD6N03R2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTMD6N03R2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 6A, 10V  
Leistung - max 1.29W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 24V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer NTMD6  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTMD6N03R2.

Produkteigenschaften NTMD6N03R2 NTMD6P02R2 NTMD6N03R2G NTMD6P02R2G
Artikelnummer NTMD6N03R2 NTMD6P02R2 NTMD6N03R2G NTMD6P02R2G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V - 30V 20V
Befestigungsart Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A - 6A 4.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 6A, 10V - 32mOhm @ 6A, 10V 33mOhm @ 6.2A, 4.5V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V - 30nC @ 10V 35nC @ 4.5V
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC - 8-SOIC 8-SOIC
Grundproduktnummer NTMD6 NTMD6P NTMD6 NTMD6
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 24V - 950pF @ 24V 1700pF @ 16V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) - 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Leistung - max 1.29W - 1.29W 750mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal Logic Level Gate - Logic Level Gate Logic Level Gate
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA - 2.5V @ 250µA 1.2V @ 250µA

NTMD6N03R2 Datenblatt PDF

Laden Sie NTMD6N03R2 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTMD6N03R2 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 20/Aug/2008.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Multiple Devices Copper Wire 20/Aug/2008.pdf
Datenblätter
NTMD6N03R2.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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