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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTMFS5C645NLT1G
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NTMFS5C645NLT1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTMFS5C645NLT1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTMFS5C645NLT1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 22A/100A 5DFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN, 5 Leads
Datenblatt
NTMFS5C645NL.pdf
RoHS Status
vorrätig: 21976

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Anzahl

Spezifikation

NTMFS5C645NLT1G Tech -Spezifikationen
onsemi - NTMFS5C645NLT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTMFS5C645NLT1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 5-DFN (5x6) (8-SOFL)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.7W (Ta), 79W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN, 5 Leads  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Ta), 100A (Tc)  
Grundproduktnummer NTMFS5  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTMFS5C645NLT1G.

Produkteigenschaften NTMFS5C645NLT1G NTMFS5H400NLT1G NTMFS5H600NLT1G NTMFS5C604NLT1G
Artikelnummer NTMFS5C645NLT1G NTMFS5H400NLT1G NTMFS5H600NLT1G NTMFS5C604NLT1G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Grundproduktnummer NTMFS5 NTMFS5 NTMFS5 NTMFS5
Verlustleistung (max) 3.7W (Ta), 79W (Tc) 3.3W (Ta), 160W (Tc) 3.3W (Ta), 160W (Tc) 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads
Serie - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Ta), 100A (Tc) 46A (Ta), 330A (Tc) 35A (Ta), 250A (Tc) 38A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 50A, 10V 0.8mOhm @ 50A, 10V 1.3mOhm @ 50A, 10V 1.2mOhm @ 50A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 40 V 60 V 60 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 50 V 7700 pF @ 20 V 6680 pF @ 30 V 8900 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 89 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

NTMFS5C645NLT1G Datenblatt PDF

Laden Sie NTMFS5C645NLT1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTMFS5C645NLT1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer Fab Change 17/Oct/2022.pdf
Datenblätter
NTMFS5C645NL.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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