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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTMFS5H600NLT1G
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NTMFS5H600NLT1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTMFS5H600NLT1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTMFS5H600NLT1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 35A/250A 5DFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN, 5 Leads
Datenblatt
NTMFS5H600NL.pdf
RoHS Status
vorrätig: 6240

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Anzahl

Spezifikation

NTMFS5H600NLT1G Tech -Spezifikationen
onsemi - NTMFS5H600NLT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTMFS5H600NLT1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 5-DFN (5x6) (8-SOFL)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.3W (Ta), 160W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN, 5 Leads  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6680 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 89 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Ta), 250A (Tc)  
Grundproduktnummer NTMFS5  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTMFS5H600NLT1G.

Produkteigenschaften NTMFS5H600NLT1G NTMFS6B03NT1G NTMFS5C646NLT1G NTMFS5C670NLT1G
Artikelnummer NTMFS5H600NLT1G NTMFS6B03NT1G NTMFS5C646NLT1G NTMFS5C670NLT1G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3mOhm @ 50A, 10V 4.8mOhm @ 20A, 10V 4.7mOhm @ 50A, 10V 6.1mOhm @ 35A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 100 V 60 V 60 V
Supplier Device-Gehäuse 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Ta), 250A (Tc) 19A (Ta), 132A (Tc) 19A (Ta) 17A (Ta), 71A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 89 nC @ 10 V 58 nC @ 10 V 33.7 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - - - -
Grundproduktnummer NTMFS5 NTMFS6 NTMFS5 NTMFS5
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 6V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6680 pF @ 30 V 4200 pF @ 50 V 2164 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 3.3W (Ta), 160W (Tc) 3.4W (Ta), 165W (Tc) 3.7W (Ta), 79W (Tc) 3.6W (Ta), 61W (Tc)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads

NTMFS5H600NLT1G Datenblatt PDF

Laden Sie NTMFS5H600NLT1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTMFS5H600NLT1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer Fab Change 17/Oct/2022.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev DS Chg 6/May/2021.pdf
Datenblätter
NTMFS5H600NL.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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