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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTMS5P02R2
NTMS5P02R2 Image
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NTMS5P02R2 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTMS5P02R2
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTMS5P02R2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
NTMS5P02R2.pdf
vorrätig: 98050

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Anzahl

Spezifikation

NTMS5P02R2 Tech -Spezifikationen
onsemi - NTMS5P02R2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTMS5P02R2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.25V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 5.4A, 4.5V  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 16 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.05A (Tj)  
Grundproduktnummer NTMS5P  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTMS5P02R2.

Produkteigenschaften NTMS5P02R2 NTMSD3P303R2 NTMS5P02R2G NTMSD2P102LR2
Artikelnummer NTMS5P02R2 NTMSD3P303R2 NTMS5P02R2G NTMSD2P102LR2
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 5.4A, 4.5V - 33mOhm @ 5.4A, 4.5V 90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
FET-Merkmal - - - Schottky Diode (Isolated)
VGS (th) (Max) @ Id 1.25V @ 250µA - 1.25V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Grundproduktnummer NTMS5P NTMSD3 NTMS5 NTMSD2
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V - 20 V 20 V
Paket Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC - 8-SOIC 8-SOIC
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 16 V - 1900 pF @ 16 V 750 pF @ 16 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET P-Channel - P-Channel P-Channel
Serie - - - FETKY™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.05A (Tj) - 3.95A (Ta) 2.3A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 4.5 V - 35 nC @ 4.5 V 18 nC @ 4.5 V

NTMS5P02R2 Datenblatt PDF

Laden Sie NTMS5P02R2 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTMS5P02R2 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
NTMS5P02R2.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Multiple Devices Copper Wire 20/Aug/2008.pdf

Lieferung

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Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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