Spezifikation
NTMSD2P102R2 Tech -Spezifikationen
onsemi - NTMSD2P102R2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTMSD2P102R2
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Hersteller |
onsemi |
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| VGS (th) (Max) @ Id |
- |
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| Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
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| Supplier Device-Gehäuse |
8-SOIC |
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| Serie |
- |
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| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
90mOhm @ 2.4A, 4.5V |
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| Verlustleistung (max) |
- |
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| Verpackung / Gehäuse |
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
|
| Paket |
Tape & Reel (TR) |
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| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Betriebstemperatur |
- |
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| Befestigungsart |
Surface Mount |
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| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
750 pF @ 16 V |
|
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
18 nC @ 4.5 V |
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| Typ FET |
P-Channel |
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| FET-Merkmal |
Schottky Diode (Isolated) |
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| Drain-Source-Spannung (Vdss) |
20 V |
|
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C |
2.3A (Ta) |
|
| Grundproduktnummer |
NTMSD2 |
|
Lieferung
Lieferzeit
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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)
Versandart
- Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder |
| Region |
Land |
Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika |
Vereinigte Staaten |
5 |
| Brasilien |
7 |
| Europa |
Deutschland |
5 |
| Großbritannien |
4 |
| Italien |
5 |
| Ozeanien |
Australien |
6 |
| Neuseeland |
5 |
| Asien |
Indien |
4 |
| Japan |
4 |
| Naher Osten |
Israel |
6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz |
| Versandkosten (KG) |
Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Notiz:
- Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.
NTMT090N65S3HFonsemiPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
NTMSD3P303R2onsemiMOSFET/DIODE SCHOTTKY P-CH 8SOIC