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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTMT090N65S3HF
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NTMT090N65S3HF - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTMT090N65S3HF
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTMT090N65S3HF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
detaillierte Beschreibung
Verpackung
4-PowerTSFN
Datenblatt
NTMT090N65S3HF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 9814

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Anzahl

Spezifikation

NTMT090N65S3HF Tech -Spezifikationen
onsemi - NTMT090N65S3HF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTMT090N65S3HF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 860µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 4-PQFN (8x8)  
Serie SuperFET® III, FRFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 18A, 10V  
Verlustleistung (max) 272W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 4-PowerTSFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2930 pF @ 400 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 36A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTMT090N65S3HF.

Produkteigenschaften NTMT090N65S3HF NTMSD6N303R2SG NTMSD3P102R2 NTMSD3P303R2
Artikelnummer NTMT090N65S3HF NTMSD6N303R2SG NTMSD3P102R2 NTMSD3P303R2
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2930 pF @ 400 V 950 pF @ 24 V 750 pF @ 16 V -
FET-Merkmal - Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated) -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Verpackung / Gehäuse 4-PowerTSFN 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 36A (Tc) 6A (Ta) 2.34A (Ta) -
Supplier Device-Gehäuse 4-PQFN (8x8) 8-SOIC 8-SOIC -
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V -
Serie SuperFET® III, FRFET® FETKY™ FETKY™ -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Verlustleistung (max) 272W (Tc) 2W (Ta) 730mW (Ta) -
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 860µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 18A, 10V 32mOhm @ 6A, 10V 85mOhm @ 3.05A, 10V -
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 30 V 20 V -

NTMT090N65S3HF Datenblatt PDF

Laden Sie NTMT090N65S3HF PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTMT090N65S3HF - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer Fab Change 17/May/2023.pdf
Datenblätter
NTMT090N65S3HF.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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