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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTMTSC002N10MCTXG
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NTMTSC002N10MCTXG - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTMTSC002N10MCTXG
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTMTSC002N10MCTXG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 45A/236A 8TDFNW
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
NTMTSC002N10MC.pdf
RoHS Status
vorrätig: 15748

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Spezifikation

NTMTSC002N10MCTXG Tech -Spezifikationen
onsemi - NTMTSC002N10MCTXG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTMTSC002N10MCTXG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 520µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-TDFNW (8.3x8.4)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2mOhm @ 90A, 10V  
Verlustleistung (max) 9W (Ta), 255W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount, Wettable Flank  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6305 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 89 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 45A (Ta), 236A (Tc)  
Grundproduktnummer NTMTSC002  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTMTSC002N10MCTXG.

Produkteigenschaften NTMTSC002N10MCTXG NTMS5P02R2G NTMTS0D7N06CLTXG NTMSD2P102LR2
Artikelnummer NTMTSC002N10MCTXG NTMS5P02R2G NTMTS0D7N06CLTXG NTMSD2P102LR2
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 520µA 1.25V @ 250µA 2.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6305 pF @ 50 V 1900 pF @ 16 V 16200 pF @ 25 V 750 pF @ 16 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verlustleistung (max) 9W (Ta), 255W (Tc) 790mW (Ta) 5W (Ta), 294.6W (Tc) 710mW (Ta)
Grundproduktnummer NTMTSC002 NTMS5 NTMTS0 NTMSD2
Supplier Device-Gehäuse 8-TDFNW (8.3x8.4) 8-SOIC 8-DFNW (8.3x8.4) 8-SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 45A (Ta), 236A (Tc) 3.95A (Ta) 62.2A (Ta), 477A (Tc) 2.3A (Ta)
Befestigungsart Surface Mount, Wettable Flank Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 89 nC @ 10 V 35 nC @ 4.5 V 225 nC @ 10 V 18 nC @ 4.5 V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-PowerTDFN 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
FET-Merkmal - - - Schottky Diode (Isolated)
Serie - - - FETKY™
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2mOhm @ 90A, 10V 33mOhm @ 5.4A, 4.5V 0.68mOhm @ 50A, 10V 90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 20 V 60 V 20 V
Vgs (Max) ±20V ±10V ±20V ±10V

NTMTSC002N10MCTXG Datenblatt PDF

Laden Sie NTMTSC002N10MCTXG PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTMTSC002N10MCTXG - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
NTMTSC002N10MC.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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