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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTP5404NRG
NTP5404NRG Image
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NTP5404NRG - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTP5404NRG
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTP5404NRG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 24A/167A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
NTB5404N, NTP5404N, NVB5404N.pdf
vorrätig: 5240

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Spezifikation

NTP5404NRG Tech -Spezifikationen
onsemi - NTP5404NRG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTP5404NRG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 40A, 10V  
Verlustleistung (max) 5.4W (Ta), 254W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7000 pF @ 32 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 125 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Ta), 167A (Tc)  
Grundproduktnummer NTP540  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTP5404NRG.

Produkteigenschaften NTP5404NRG NTP52N10G NTP52N10 NTP5860NG
Artikelnummer NTP5404NRG NTP52N10G NTP52N10 NTP5860NG
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Ta), 167A (Tc) 60A (Ta) 60A (Ta) 220A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 100 V 100 V 60 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 40A, 10V 30mOhm @ 26A, 10V 30mOhm @ 26A, 10V 3mOhm @ 75A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - - - -
Verlustleistung (max) 5.4W (Ta), 254W (Tc) 214W (Tc) 214W (Tc) 283W (Tc)
Paket Tube Tube Tube Bulk
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7000 pF @ 32 V 3150 pF @ 25 V 3150 pF @ 25 V 10760 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 125 nC @ 10 V 135 nC @ 10 V 135 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 10V 10V 10V
Grundproduktnummer NTP540 NTP52N NTP52N -
Supplier Device-Gehäuse TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

NTP5404NRG Datenblatt PDF

Laden Sie NTP5404NRG PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTP5404NRG - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
TO-220 Case Outline Update 18/Sep/2014.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 03/Oct/2014.pdf Reactivation Notice 06/Jan/2012.pdf
Datenblätter
NTB5404N, NTP5404N, NVB5404N.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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