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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTP5860NG
onsemi
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NTP5860NG - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTP5860NG
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTP5860NG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 60
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
Nxx5860N.pdf
vorrätig: 11709

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Anzahl

Spezifikation

NTP5860NG Tech -Spezifikationen
onsemi - NTP5860NG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTP5860NG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 75A, 10V  
Verlustleistung (max) 283W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10760 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 220A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTP5860NG.

Produkteigenschaften NTP5860NG NTP5860NLG NTP5412NG NTP52N10
Artikelnummer NTP5860NG NTP5860NLG NTP5412NG NTP52N10
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Bulk Tube Tube Tube
FET-Merkmal - - - -
Serie - - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10760 pF @ 25 V 10760 pF @ 25 V 3220 pF @ 25 V 3150 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 220A (Tc) 220A (Tc) 60A (Tc) 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 75A, 10V 3mOhm @ 75A, 10V 14mOhm @ 30A, 10V 30mOhm @ 26A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 85 nC @ 0 V 135 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 283W (Tc) 283W (Tc) 125W (Tc) 214W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 60 V 100 V

NTP5860NG Datenblatt PDF

Laden Sie NTP5860NG PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTP5860NG - onsemi herunter.

Datenblätter
Nxx5860N.pdf

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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