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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysNTQD6866R2
NTQD6866R2 Image
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NTQD6866R2 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTQD6866R2
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTQD6866R2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Datenblatt
NTQD6866R2.pdf
vorrätig: 5350

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Spezifikation

NTQD6866R2 Tech -Spezifikationen
onsemi - NTQD6866R2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTQD6866R2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-TSSOP  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 6.9A, 4.5V  
Leistung - max 940mW  
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 16V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.7A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer NTQD68  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTQD6866R2.

Produkteigenschaften NTQD6866R2 DMC31D5UDJ-7 IRF9358PBF BSZ15DC02KDHXTMA1
Artikelnummer NTQD6866R2 DMC31D5UDJ-7 IRF9358PBF BSZ15DC02KDHXTMA1
Hersteller onsemi Diodes Incorporated Infineon Technologies Infineon Technologies
Supplier Device-Gehäuse 8-TSSOP SOT-963 8-SO PG-TSDSON-8-FL
Leistung - max 940mW 350mW 2W 2.5W
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 30V 30V 20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 16V 22.6pF @ 15V 1740pF @ 25V 419pF @ 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 6.9A, 4.5V 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V 16.3mOhm @ 9.2A, 10V 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Grundproduktnummer NTQD68 DMC31 IRF9358 BSZ15DC02
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel Complementary
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate, 2.5V Drive
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) SOT-963 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-PowerTDFN
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.7A 220mA, 200mA 9.2A 5.1A, 3.2A
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 4.5V 0.38nC @ 4.5V 38nC @ 10V 2.8nC @ 4.5V
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 1V @ 250µA 2.4V @ 25µA 1.4V @ 110µA
Serie - - HEXFET® Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

NTQD6866R2 Datenblatt PDF

Laden Sie NTQD6866R2 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTQD6866R2 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 06/Oct/2006.pdf
Datenblätter
NTQD6866R2.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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