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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysNTQD6968NR2G
NTQD6968NR2G Image
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NTQD6968NR2G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTQD6968NR2G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTQD6968NR2G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Datenblatt
NTQD6968N.pdf
vorrätig: 5480

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Spezifikation

NTQD6968NR2G Tech -Spezifikationen
onsemi - NTQD6968NR2G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTQD6968NR2G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-TSSOP  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 7A, 4.5V  
Leistung - max 1.39W  
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 630pF @ 16V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.2A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer NTQD69  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTQD6968NR2G.

Produkteigenschaften NTQD6968NR2G NTQD6866R2 FDS3992 SI3900DV-T1-GE3
Artikelnummer NTQD6968NR2G NTQD6866R2 FDS3992 SI3900DV-T1-GE3
Hersteller onsemi onsemi onsemi Vishay Siliconix
Grundproduktnummer NTQD69 NTQD68 FDS39 SI3900
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V 100V 20V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V 22nC @ 4.5V 15nC @ 10V 4nC @ 4.5V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 630pF @ 16V 1400pF @ 16V 750pF @ 25V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 7A, 4.5V 32mOhm @ 6.9A, 4.5V 62mOhm @ 4.5A, 10V 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Supplier Device-Gehäuse 8-TSSOP 8-TSSOP 8-SOIC 6-TSOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.2A 4.7A 4.5A 2A
Leistung - max 1.39W 940mW 2.5W 830mW
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Serie - - PowerTrench® TrenchFET®
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 4V @ 250µA 1.5V @ 250µA

NTQD6968NR2G Datenblatt PDF

Laden Sie NTQD6968NR2G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTQD6968NR2G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 21/Jan/2010.pdf
Datenblätter
NTQD6968N.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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