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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTS4101PT1G
NTS4101PT1G Image
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NTS4101PT1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTS4101PT1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTS4101PT1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 1.37A SC70-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-70, SOT-323
Datenblatt
NTS4101P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 436340

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Anzahl

Spezifikation

NTS4101PT1G Tech -Spezifikationen
onsemi - NTS4101PT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTS4101PT1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SC-70-3 (SOT323)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 1A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 329mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 840 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.37A (Ta)  
Grundproduktnummer NTS4101  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTS4101PT1G.

Produkteigenschaften NTS4101PT1G NTS4001NT3G NTS4173PT1G NTS4001NT1G
Artikelnummer NTS4101PT1G NTS4001NT3G NTS4173PT1G NTS4001NT1G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Supplier Device-Gehäuse SC-70-3 (SOT323) SC-70-3 (SOT323) SC-70-3 (SOT323) SC-70-3 (SOT323)
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±8V ±20V ±12V ±20V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Typ FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 840 pF @ 20 V 33 pF @ 5 V 430 pF @ 15 V 33 pF @ 5 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 30 V 30 V 30 V
Verlustleistung (max) 329mW (Ta) 330mW (Ta) 290mW (Ta) 330mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 1A, 4.5V 1.5Ohm @ 10mA, 4V 150mOhm @ 1.2A, 10V 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Grundproduktnummer NTS4101 NTS4001 NTS4173 NTS4001
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.37A (Ta) 270mA (Ta) 1.2A (Ta) 270mA (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 4.5 V 1.3 nC @ 5 V 10.1 nC @ 10 V 1.3 nC @ 5 V
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 100µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 100µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4V 2.5V, 10V 2.5V, 4V
Serie - - - -

NTS4101PT1G Datenblatt PDF

Laden Sie NTS4101PT1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTS4101PT1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
NTS4101P.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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