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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTS4001NT1G
NTS4001NT1G Image
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NTS4001NT1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTS4001NT1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTS4001NT1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-70, SOT-323
Datenblatt
NTS4001N.pdf
RoHS Status
vorrätig: 467920

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Anzahl

Spezifikation

NTS4001NT1G Tech -Spezifikationen
onsemi - NTS4001NT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTS4001NT1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SC-70-3 (SOT323)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 10mA, 4V  
Verlustleistung (max) 330mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 33 pF @ 5 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.3 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 270mA (Ta)  
Grundproduktnummer NTS4001  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTS4001NT1G.

Produkteigenschaften NTS4001NT1G NTS4001NT3G NTS4101PT1G NTS2101PT1
Artikelnummer NTS4001NT1G NTS4001NT3G NTS4101PT1G NTS2101PT1
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 270mA (Ta) 270mA (Ta) 1.37A (Ta) 1.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4V 2.5V, 4V 2.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 10mA, 4V 1.5Ohm @ 10mA, 4V 120mOhm @ 1A, 4.5V 100mOhm @ 1A, 4.5V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 20 V 8 V
Verlustleistung (max) 330mW (Ta) 330mW (Ta) 329mW (Ta) 290mW (Ta)
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±8V ±8V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 33 pF @ 5 V 33 pF @ 5 V 840 pF @ 20 V 640 pF @ 8 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer NTS4001 NTS4001 NTS4101 NTS210
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA 1.5V @ 100µA 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323
Supplier Device-Gehäuse SC-70-3 (SOT323) SC-70-3 (SOT323) SC-70-3 (SOT323) SC-70-3 (SOT323)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.3 nC @ 5 V 1.3 nC @ 5 V 9 nC @ 4.5 V 6.4 nC @ 5 V
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel P-Channel

NTS4001NT1G Datenblatt PDF

Laden Sie NTS4001NT1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTS4001NT1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
NTS4001N.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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