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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTTFS1D8N02P1E
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NTTFS1D8N02P1E - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTTFS1D8N02P1E
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTTFS1D8N02P1E
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 20A/152A 8PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerWDFN
Datenblatt
NTTFS1D8N02P1E.pdf
RoHS Status
vorrätig: 39028

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Anzahl

Spezifikation

NTTFS1D8N02P1E Tech -Spezifikationen
onsemi - NTTFS1D8N02P1E Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTTFS1D8N02P1E

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 700µA  
Vgs (Max) +16V, -12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (3.3x3.3)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 800mW (Ta), 48W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3159 pF @ 13 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Ta), 152A (Tc)  
Grundproduktnummer NTTFS1  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTTFS1D8N02P1E.

Produkteigenschaften NTTFS1D8N02P1E NTTD4401FR2G NTTFS3A08PZTWG NTTFS1D2N02P1E
Artikelnummer NTTFS1D8N02P1E NTTD4401FR2G NTTFS3A08PZTWG NTTFS1D2N02P1E
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3mOhm @ 30A, 10V 90mOhm @ 3.3A, 4.5V 6.7mOhm @ 12A, 4.5V 1mOhm @ 38A, 10V
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (3.3x3.3) 8-MSOP 8-WDFN (3.3x3.3) 8-PQFN (3.3x3.3)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V 20 V 20 V 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 700µA 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA 2V @ 934µA
Verlustleistung (max) 800mW (Ta), 48W (Tc) 780mW (Ta) 840mW (Ta) 820mW (Ta), 52W (Tc)
Serie - FETKY™ - -
Vgs (Max) +16V, -12V ±10V ±8V +16V, -12V
Grundproduktnummer NTTFS1 NTTD44 NTTFS3 NTTFS1
Typ FET N-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
FET-Merkmal - Schottky Diode (Isolated) - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3159 pF @ 13 V 750 pF @ 16 V 5000 pF @ 10 V 4040 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V 18 nC @ 4.5 V 56 nC @ 4.5 V 24 nC @ 4.5 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Ta), 152A (Tc) 2.4A (Ta) 9A (Ta) 23A (Ta), 180A (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

NTTFS1D8N02P1E Datenblatt PDF

Laden Sie NTTFS1D8N02P1E PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTTFS1D8N02P1E - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
NTTFS1D8N02P1E.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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