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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTTFS4800NTAG
onsemi
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NTTFS4800NTAG - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTTFS4800NTAG
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTTFS4800NTAG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 5A/32A 8WDFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerWDFN
Datenblatt
NTTFS4800N.pdf
vorrätig: 4360

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Anzahl

Spezifikation

NTTFS4800NTAG Tech -Spezifikationen
onsemi - NTTFS4800NTAG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTTFS4800NTAG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-WDFN (3.3x3.3)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 860mW (Ta), 33.8W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 964 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.6 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 11.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Ta), 32A (Tc)  
Grundproduktnummer NTTFS4  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTTFS4800NTAG.

Produkteigenschaften NTTFS4800NTAG NTTFS3A08PZTWG NTTFS4821NTWG NTTFS4821NTAG
Artikelnummer NTTFS4800NTAG NTTFS3A08PZTWG NTTFS4821NTWG NTTFS4821NTAG
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Ta), 32A (Tc) 9A (Ta) 7.5A (Ta), 57A (Tc) 7.5A (Ta), 57A (Tc)
Verlustleistung (max) 860mW (Ta), 33.8W (Tc) 840mW (Ta) 660mW (Ta), 38.5W (Tc) 660mW (Ta), 38.5W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 964 pF @ 15 V 5000 pF @ 10 V 1755 pF @ 12 V 1755 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.6 nC @ 10 V 56 nC @ 4.5 V 24 nC @ 11.5 V 24 nC @ 11.5 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±8V ±20V ±20V
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 20A, 10V 6.7mOhm @ 12A, 4.5V 7mOhm @ 20A, 10V 7mOhm @ 20A, 10V
Serie - - - -
Grundproduktnummer NTTFS4 NTTFS3 NTTFS4 NTTFS4821
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 1V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 11.5V 2.5V, 4.5V 4.5V, 11.5V 4.5V, 11.5V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 20 V 30 V 30 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

NTTFS4800NTAG Datenblatt PDF

Laden Sie NTTFS4800NTAG PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTTFS4800NTAG - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 08/Apr/2011.pdf
Datenblätter
NTTFS4800N.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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