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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTTFS4823NTWG
onsemi
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NTTFS4823NTWG - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTTFS4823NTWG
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTTFS4823NTWG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 7.1A/50A 8WDFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerWDFN
Datenblatt
NTTFS4823N.pdf
vorrätig: 5080

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Spezifikation

NTTFS4823NTWG Tech -Spezifikationen
onsemi - NTTFS4823NTWG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTTFS4823NTWG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-WDFN (3.3x3.3)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 660mW (Ta), 32.9W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1013 pF @ 12 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 11.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.1A (Ta), 50A (Tc)  
Grundproduktnummer NTTFS4  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTTFS4823NTWG.

Produkteigenschaften NTTFS4823NTWG NTTFS4800NTAG NTTFS4821NTAG NTTFS3A08PZTWG
Artikelnummer NTTFS4823NTWG NTTFS4800NTAG NTTFS4821NTAG NTTFS3A08PZTWG
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 1V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 11.5V 4.5V, 11.5V 4.5V, 11.5V 2.5V, 4.5V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 4.5 V 16.6 nC @ 10 V 24 nC @ 11.5 V 56 nC @ 4.5 V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.1A (Ta), 50A (Tc) 5A (Ta), 32A (Tc) 7.5A (Ta), 57A (Tc) 9A (Ta)
Serie - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1013 pF @ 12 V 964 pF @ 15 V 1755 pF @ 12 V 5000 pF @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 20A, 10V 20mOhm @ 20A, 10V 7mOhm @ 20A, 10V 6.7mOhm @ 12A, 4.5V
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Supplier Device-Gehäuse 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±8V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 660mW (Ta), 32.9W (Tc) 860mW (Ta), 33.8W (Tc) 660mW (Ta), 38.5W (Tc) 840mW (Ta)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 20 V
Grundproduktnummer NTTFS4 NTTFS4 NTTFS4821 NTTFS3
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

NTTFS4823NTWG Datenblatt PDF

Laden Sie NTTFS4823NTWG PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTTFS4823NTWG - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
NTTFS4823N.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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