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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTTFS4943NTAG
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NTTFS4943NTAG - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTTFS4943NTAG
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTTFS4943NTAG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 8A/41A 8WDFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerWDFN
Datenblatt
NTTFS4943N.pdf
vorrätig: 4700

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Anzahl

Spezifikation

NTTFS4943NTAG Tech -Spezifikationen
onsemi - NTTFS4943NTAG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTTFS4943NTAG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-WDFN (3.3x3.3)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 840mW (Ta), 22.3W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1386 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.4 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Ta), 41A (Tc)  
Grundproduktnummer NTTFS4  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTTFS4943NTAG.

Produkteigenschaften NTTFS4943NTAG NTTFS4941NTAG NTTFS4930NTAG NTTFS4937NTAG
Artikelnummer NTTFS4943NTAG NTTFS4941NTAG NTTFS4930NTAG NTTFS4937NTAG
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Supplier Device-Gehäuse 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3)
Verlustleistung (max) 840mW (Ta), 22.3W (Tc) 840mW (Ta), 25.5W (Tc) 790mW (Ta), 20.2W (Tc) 860mW (Ta), 43.1W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1386 pF @ 15 V 1619 pF @ 15 V 476 pF @ 15 V 2540 pF @ 15 V
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Ta), 41A (Tc) 8.3A (Ta), 46A (Tc) 4.5A (Ta), 23A (Tc) 11A (Ta), 75A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2mOhm @ 20A, 10V 6.2mOhm @ 20A, 10V 23mOhm @ 6A, 10V 4.5mOhm @ 20A, 10V
Grundproduktnummer NTTFS4 NTTFS4 NTTFS4930 NTTFS4937
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.4 nC @ 10 V 22.8 nC @ 10 V 5.5 nC @ 4.5 V 35.5 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

NTTFS4943NTAG Datenblatt PDF

Laden Sie NTTFS4943NTAG PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTTFS4943NTAG - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 05/Oct/2010.pdf
Datenblätter
NTTFS4943N.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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