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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTTFS4930NTAG
Fairchild Semiconductor
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NTTFS4930NTAG - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
NTTFS4930NTAG
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-NTTFS4930NTAG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerWDFN
Datenblatt
NTTFS4930NTAG.pdf
vorrätig: 135780

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Spezifikation

NTTFS4930NTAG Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - NTTFS4930NTAG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - NTTFS4930NTAG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-WDFN (3.3x3.3)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 6A, 10V  
Verlustleistung (max) 790mW (Ta), 20.2W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 476 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.5 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.5A (Ta), 23A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor NTTFS4930NTAG.

Produkteigenschaften NTTFS4930NTAG NTTFS4929NTAG NTTFS4945NTAG NTTFS4930NTAG
Artikelnummer NTTFS4930NTAG NTTFS4929NTAG NTTFS4945NTAG NTTFS4930NTAG
Hersteller Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Supplier Device-Gehäuse 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 6A, 10V 11mOhm @ 10A, 10V 9mOhm @ 20A, 10V 23mOhm @ 6A, 10V
Serie - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.5A (Ta), 23A (Tc) 6.6A (Ta), 34A(Tc) 7.1A (Ta), 34A (Tc) 4.5A (Ta), 23A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verlustleistung (max) 790mW (Ta), 20.2W (Tc) 810mW (Ta), 22.3W (Tc) 890mW (Ta), 20W (Tc) 790mW (Ta), 20.2W (Tc)
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.5 nC @ 4.5 V 8.8 nC @ 4.5 V 17.3 nC @ 10 V 5.5 nC @ 4.5 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 476 pF @ 15 V 920 pF @ 15 V 1194 pF @ 15 V 476 pF @ 15 V

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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