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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysNTZD3155CT1G
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NTZD3155CT1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTZD3155CT1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTZD3155CT1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
Verpackung
SOT-563, SOT-666
Datenblatt
NTZD3155C.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 264490

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Spezifikation

NTZD3155CT1G Tech -Spezifikationen
onsemi - NTZD3155CT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTZD3155CT1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-563  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 540mA, 4.5V  
Leistung - max 250mW  
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 16V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 540mA, 430mA  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer NTZD3155  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTZD3155CT1G.

Produkteigenschaften NTZD3155CT1G NTZD3154NT5G NTZD3154NT1H NTZD3152PT1H
Artikelnummer NTZD3155CT1G NTZD3154NT5G NTZD3154NT1H NTZD3152PT1H
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse SOT-563 SOT-563 SOT-563 SOT-563
Leistung - max 250mW 250mW 250mW 250mW
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 540mA, 4.5V 550mOhm @ 540mA, 4.5V 550mOhm @ 540mA, 4.5V 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Serie - - - -
FET-Merkmal Logic Level Gate - - -
Grundproduktnummer NTZD3155 NTZD3154 NTZD3154 NTZD3152
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V 2.5nC @ 4.5V 2.5nC @ 4.5V 2.5nC @ 4.5V
Konfiguration N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V 20V 20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 16V 150pF @ 16V 150pF @ 16V 175pF @ 16V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 540mA, 430mA 540mA 540mA 430mA

NTZD3155CT1G Datenblatt PDF

Laden Sie NTZD3155CT1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTZD3155CT1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev 24/Apr/2020.pdf
PCN -Verpackung
Carrier Tape 15/Aug/2017.pdf Mult Devices 27/Oct/2017.pdf
Datenblätter
NTZD3155C.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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