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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysNTZD3154NT1G
NTZD3154NT1G Image
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NTZD3154NT1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTZD3154NT1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTZD3154NT1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT563
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-563, SOT-666
Datenblatt
NTZD3154N.pdf
RoHS Status
vorrätig: 459040

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Anzahl

Spezifikation

NTZD3154NT1G Tech -Spezifikationen
onsemi - NTZD3154NT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTZD3154NT1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-563  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 540mA, 4.5V  
Leistung - max 250mW  
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 16V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 540mA  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer NTZD3154  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTZD3154NT1G.

Produkteigenschaften NTZD3154NT1G NTZD3155CT1G NTZD3155CT1H NTZD3155CT5G
Artikelnummer NTZD3154NT1G NTZD3155CT1G NTZD3155CT1H NTZD3155CT5G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Leistung - max 250mW 250mW 250mW 250mW
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel
Supplier Device-Gehäuse SOT-563 SOT-563 SOT-563 SOT-563
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 540mA, 4.5V 550mOhm @ 540mA, 4.5V 550mOhm @ 540mA, 4.5V 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 540mA 540mA, 430mA 540mA, 430mA 540mA, 430mA
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666
Grundproduktnummer NTZD3154 NTZD3155 NTZD3155 NTZD3155
FET-Merkmal - Logic Level Gate - Logic Level Gate
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 16V 150pF @ 16V 150pF @ 16V 150pF @ 16V
Serie - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V 2.5nC @ 4.5V 2.5nC @ 4.5V 2.5nC @ 4.5V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V 20V 20V

NTZD3154NT1G Datenblatt PDF

Laden Sie NTZD3154NT1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTZD3154NT1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev 24/Apr/2020.pdf
PCN -Verpackung
Carrier Tape 15/Aug/2017.pdf Mult Devices 27/Oct/2017.pdf
Datenblätter
NTZD3154N.pdf

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Lieferzeit

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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