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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNVF3055L108T3G
NVF3055L108T3G Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NVF3055L108T3G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NVF3055L108T3G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NVF3055L108T3G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
NTF3055L108, NVF3055L108.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3740

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Anzahl

Spezifikation

NVF3055L108T3G Tech -Spezifikationen
onsemi - NVF3055L108T3G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NVF3055L108T3G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±15V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-223 (TO-261)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 1.5A, 5V  
Verlustleistung (max) 1.3W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Ta)  
Grundproduktnummer NVF3055  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NVF3055L108T3G.

Produkteigenschaften NVF3055L108T3G IRL3713PBF AUIRF3007 2SK3547G0L
Artikelnummer NVF3055L108T3G IRL3713PBF AUIRF3007 2SK3547G0L
Hersteller onsemi International Rectifier International Rectifier Panasonic Electronic Components
Vgs (Max) ±15V ±20V ±20V ±7V
Supplier Device-Gehäuse SOT-223 (TO-261) TO-220AB TO-220AB SSSMini3-F2
Grundproduktnummer NVF3055 - - -
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 25 V 5890 pF @ 15 V 3270 pF @ 25 V 12 pF @ 3 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 30 V 75 V 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 5 V 110 nC @ 4.5 V 130 nC @ 10 V -
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tube Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Ta) 260A (Tc) 75A (Tc) 100mA (Ta)
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA TO-220-3 TO-220-3 SOT-723
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V 4.5V, 10V 10V 2.5V, 4V
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 1.5V @ 1µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie Automotive, AEC-Q101 HEXFET® HEXFET® -
Verlustleistung (max) 1.3W (Ta) 330W (Tc) 200W (Tc) 100mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 1.5A, 5V 3mOhm @ 38A, 10V 12.6mOhm @ 48A, 10V 12Ohm @ 10mA, 4V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 125°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

NVF3055L108T3G Datenblatt PDF

Laden Sie NVF3055L108T3G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NVF3055L108T3G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Verpackung
Covering Tape/Material Chg 20/May/2016.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 01/Oct/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wire Bond 04/Dec/2020.pdf
Datenblätter
NTF3055L108, NVF3055L108.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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