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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNVF2955T1G
NVF2955T1G Image
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NVF2955T1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NVF2955T1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NVF2955T1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
NTF2955,NVF2955.pdf
RoHS Status
vorrätig: 50720

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Spezifikation

NVF2955T1G Tech -Spezifikationen
onsemi - NVF2955T1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NVF2955T1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-223 (TO-261)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 750mA, 10V  
Verlustleistung (max) 1W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 492 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.3 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.6A (Ta)  
Grundproduktnummer NVF2955  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NVF2955T1G.

Produkteigenschaften NVF2955T1G AON7292 IRFS4310ZTRLPBF IXTY1R4N60P
Artikelnummer NVF2955T1G AON7292 IRFS4310ZTRLPBF IXTY1R4N60P
Hersteller onsemi Alpha & Omega Semiconductor Inc. Infineon Technologies IXYS
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 10V 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 100 V 100 V 600 V
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.6A (Ta) 9A (Ta), 23A (Tc) 120A (Tc) 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 750mA, 10V 24mOhm @ 9A, 10V 6mOhm @ 75A, 10V 9Ohm @ 700mA, 10V
Serie Automotive, AEC-Q101 AlphaMOS HEXFET® PolarHV™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.3 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 5.2 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA 8-PowerWDFN TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Verlustleistung (max) 1W (Ta) 4.1W (Ta), 28W (Tc) 250W (Tc) 50W (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Supplier Device-Gehäuse SOT-223 (TO-261) 8-DFN-EP (3.3x3.3) D2PAK TO-252AA
Grundproduktnummer NVF2955 AON72 IRFS4310 IXTY1
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 492 pF @ 25 V 1170 pF @ 50 V 6860 pF @ 50 V 140 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA 2.6V @ 250µA 4V @ 150µA 5.5V @ 25µA

NVF2955T1G Datenblatt PDF

Laden Sie NVF2955T1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NVF2955T1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Verpackung
Covering Tape/Material Chg 20/May/2016.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wire Bond 04/Dec/2020.pdf
Datenblätter
NTF2955,NVF2955.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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