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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNVHL027N65S3F
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NVHL027N65S3F - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NVHL027N65S3F
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NVHL027N65S3F
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
NVHL027N65S3F.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3215

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Anzahl

Spezifikation

NVHL027N65S3F Tech -Spezifikationen
onsemi - NVHL027N65S3F Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NVHL027N65S3F

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 3mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27.4mOhm @ 35A, 10V  
Verlustleistung (max) 595W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7780 pF @ 400 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 227 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc)  
Grundproduktnummer NVHL027  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NVHL027N65S3F.

Produkteigenschaften NVHL027N65S3F SI4626ADY-T1-E3 NVHL082N65S3F AO3415
Artikelnummer NVHL027N65S3F SI4626ADY-T1-E3 NVHL082N65S3F AO3415
Hersteller onsemi Vishay Siliconix onsemi Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc) 30A (Tc) 40A (Tc) 4A (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET® TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET® -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 30 V 650 V 20 V
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 8-SOIC TO-247-3 SOT-23-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27.4mOhm @ 35A, 10V 3.3mOhm @ 15A, 10V 82mOhm @ 20A, 10V 43mOhm @ 4A, 4.5V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7780 pF @ 400 V 5370 pF @ 15 V 3410 pF @ 400 V 1450 pF @ 10 V
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±8V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-247-3 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Verlustleistung (max) 595W (Tc) 3W (Ta), 6W (Tc) 313W (Tc) 1.5W (Ta)
Grundproduktnummer NVHL027 SI4626 NVHL082 AO34
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 3mA 2.5V @ 250µA 5V @ 4mA 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 227 nC @ 10 V 125 nC @ 10 V 81 nC @ 10 V 17.2 nC @ 4.5 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 10V 1.5V, 4.5V
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

NVHL027N65S3F Datenblatt PDF

Laden Sie NVHL027N65S3F PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NVHL027N65S3F - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Improve FAB Process 26/APR/2023.pdf Mult Dev Datasheet Chg 20/Dec/2019.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mold Compound Change 24/Sep/2019.pdf
PCN -Verpackung
Packing quantity increase 25/Jun/2021.pdf
Datenblätter
NVHL027N65S3F.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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