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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysNVMFD5853NLT1G
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NVMFD5853NLT1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NVMFD5853NLT1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NVMFD5853NLT1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 40V 12A 8DFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
NVMFD5853NL(WF).pdf
RoHS Status
vorrätig: 3980

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Anzahl

Spezifikation

NVMFD5853NLT1G Tech -Spezifikationen
onsemi - NVMFD5853NLT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NVMFD5853NLT1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 15A, 10V  
Leistung - max 3W  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer NVMFD5853  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NVMFD5853NLT1G.

Produkteigenschaften NVMFD5853NLT1G NVMFD5483NLT1G NVMFD5877NLWFT1G NVMFD5852NLT1G
Artikelnummer NVMFD5853NLT1G NVMFD5483NLT1G NVMFD5877NLWFT1G NVMFD5852NLT1G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Grundproduktnummer NVMFD5853 NVMFD5483 NVMFD5877 NVMFD5852
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A 6.4A 6A 15A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V 23.4nC @ 10V 20nC @ 10V 36nC @ 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V 60V 60V 40V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 15A, 10V 36mOhm @ 15A, 10V 39mOhm @ 7.5A, 10V 6.9mOhm @ 20A, 10V
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Supplier Device-Gehäuse 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Leistung - max 3W 3.1W 3.2W 3.2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA 2.4V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 25V 668pF @ 25V 540pF @ 25V 1800pF @ 25V
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate

NVMFD5853NLT1G Datenblatt PDF

Laden Sie NVMFD5853NLT1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NVMFD5853NLT1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 06/Oct/2021.pdf
Datenblätter
NVMFD5853NL(WF).pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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